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IXTA2N80P
IXTU2N80P
IXTP2N80P
IXTY2N80P
2.2
Fig. 7. Input Admittance
4
Fig. 8. Transconductance
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
T J = 125oC
25oC
- 40oC
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
T J = - 40oC
25oC
125oC
4
4.4
4.8
5.2
5.6
6
6.4
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
4.5
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
4
3.5
3
9
8
7
V DS = 400V
I D = 1A
I G = 10mA
6
2.5
5
2
1.5
1
0.5
0
T J = 125oC
T J = 25oC
4
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
10.0
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Resistance
C iss
100
1.0
C oss
10
1
f = 1 MHz
C rss
0.1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse W idth - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: T_2N80P (2J) 8-07-06.xls
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IXTU55N075T 功能描述:MOSFET 55 Amps 75V 17.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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